단, 양면
층수
1 ~ 2(Layer)
원자재
FR-4(일반, High-tg), CEM-3, 테프론, BT Resin
원자재 두께
0.1 ~ 3.2(mm) ......................4 ~ 128(mil)
최소 Drill Size
0.1Ø ..................................4(mil)
최소 회로폭
0.075(mm) ............................3(mil)
최소 Space
0.075(mm) ............................3(mil)
표면처리
Wire Boardable Gold, Immersion Gold, OSP, HASL, TIN도금
 
층수
4 ~ 32(Layer)
원자재
FR-4(일반, High-tg), CEM-3, 테프론, BT Resin
원자재 두께
0.4 ~ 4(mm) ......................16 ~ 160(mil)
최소 Drill Size
0.1Ø ..................................4(mil)
최소 회로폭
0.075(mm) ............................3(mil)
최소 Space
0.075(mm) ............................3(mil)
표면처리
Wire Boardable Gold, Immersion Gold, OSP, HASL, TIN도금
 

Celluar Phone Batteri, Game Machine, Burning BOARDModule ETC
     
 
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